Компания реализует устройства преобразования энергии альтернативных источников на базе карбида кремния (SiC)

Статус

Активен

Аннотация

Российское научно-производственное и внедренческое малое предприятие, предлагает сотрудничество в области НИОКР в разработке устройств преобразования энергии альтернативных возобновляемых источников и их совместной реализации на международных рынках в рамках Договора об услугах по сбыту продукции.

Описание предложения

Компания осуществляет деятельность в области разработки устройств преобразования энергии альтернативных возобновляемых источников. Одним из продуктов является инвертор для преобразования энергии, генерируемой любыми возобновляемыми источниками (солнечная, ветряная) в стандартное переменное напряжение 220 В., 50 Гц или с иными требуемыми характеристиками. Использование SiC (карбид кремния) приборов (Диоды, MOSFET транзисторы) в компонентной базе позволяет существенно повысить рабочие характеристики: КПД, надёжность и в разы снизить массу и габариты устройства. Преимущества использования SiC в инверторах: • SiC позволяет работать на более высоких частотах преобразования до 100 МГц и выше, вместо типичных 5-10 МГц для кремния, благодаря этому существенно снижаются размеры индуктивных элементов инвертора; • Благодаря высоким характеристикам SiC приборов, в инверторе, снижается общее количество компонентов, что также способствует снижению габаритов; • температура стабильного функционирования SiC значительно выше кремниевых чипов (200-250 С против 100 С), в связи с этим снижаются требования к системе охлаждения, в некоторых случаях можно обойтись пассивным радиатором, в то время как для кремния потребовался бы воздушный обдув вентилятором. Областью применения инвертора является: • Солнечная энергетика; • Ветряные энргогенераторы; • Источники бесперебойного питания; • Источники питания с применением суперконденсаторов. Ключевым элементом технологии являются высокомощные диоды и транзисторы на основе карбида кремния с максимальными напряжениями до 1200 В, и силой протекающего тока до 30 А. В созданных прототипах использовались диоды и MOSFET транзисторы компании Cree. Следующим важным звеном инвертора является схемо-техническое устройство его исполнения. Рынком сбыта для инверторов является сфера использование возобновляемых источников энергии в частном и иных секторах. Кроме того, имеется перспектива участия в строительстве солнечных электростанций. В настоящее время отмечается стабильный рост рынка инверторов на 30% последние несколько лет, что говорит о развитии частной возобновляемой энергетики в России. Дистрибьюторами отмечается также более высокое качество европейских инверторов по отношению к китайским. Несмотря на большую цену европейской продукции, в данной сфере она оправдана, т.к. в приоритете остаётся надёжность инверторов. Оценка данного сегмента показывает, что при продаже 20 инверторов в месяц, выручка составит порядка 10 млн. руб. в год. В связи с тем, что по оценкам различных источников до 2017 в РФ год планируется ввод в эксплуатацию, суммарно, более 400 МВт солнечных электростанций в различных регионах России, каждая мощностью от 5 до 25 МВт потенциальными региональными рынками сбыта являются Астраханская область, Республика Башкортостан, Республика Алтай, Республика Хакассия, Оренбургская область, Липецкая область, Ставропольский край, Волгоградская область, Республика Калмыкия. Предполагается, что партнер будет осуществлять закупку и производить дальнейшую реализацию готовой продукции предприятия конечным клиентам.

Инновационные аспекты и преимущества

Использование SiC приборов (Диоды, MOSFET транзисторы) в компонентной базе позволяет существенно повысить рабочие характеристики: КПД, надёжность и в разы снизить массу и габариты устройства. Преимущества SiC позволяет работать на более высоких частотах преобразования до 100 МГц и выше, вместо типичных 5-10 МГц для кремния, благодаря этому существенно снижаются размеры индуктивных элементов инвертора; Благодаря высоким характеристикам SiC приборов, в инверторе, снижается общее количество компонентов, что также способствует снижению габаритов; температура стабильного функционирования SiC значительно выше кремниевых чипов (200-250 С против 100 С), в связи с этим снижаются требования к системе охлаждения, в некоторых случаях можно обойтись пассивным радиатором, в то время как для кремния потребовался бы воздушный обдув вентилятором.

Текущая стадия развития

На данный момент компанией разработаны функционирующие прототипы устройств, проходящие испытания в реальных условиях использования потенциальными клиентами - интеграторами промышленной электроники.

Технологические ключевые слова

04005005 Солнечная/термальная энергия, 04005 Возобновляемые источники энергии, 04 ЭНЕРГЕТИКА, 04005008 Ветровая энергия, 04008003 Micro- and Nanotechnology related to energy, 04008 Другие энергетические проблемы

Коды рыночных применений

06003001 Solar/thermal energy, 06003 Альтернативная энергетика, 06 ЭНЕРГЕТИКА, 06003003 Энергия ветра, 06010001 Energy for private/domestic housing, 06010 Energy Supply and Retail, 08002001 Регулирование использования энергии, 08002 Промышленная автоматика, 08 ПРОМЫШЛЕННЫЕ ИЗДЕЛИЯ

Права интеллектуальной собственности

Подана заявка на патент, но патент ещё не получен

Предпочитаемые страны

Армения, Белоруссия, Китай, Израиль, США, Индия, Новая Зеландия, Российская Федерация, Китайская Республика Тайвань

Дата профиля

14.01.2016