Рус

Eng

Европейская сеть поддержки предпринимательства

(Российское представительство)

Компания реализует устройства преобразования энергии альтернативных источников на базе карбида кремния (SiC)

Код профиля: 16208

Тип профиля: Бизнес предложение

Статус

Активен

Аннотация

Российское научно-производственное и внедренческое малое предприятие, предлагает сотрудничество в области НИОКР в разработке устройств преобразования энергии альтернативных возобновляемых источников и их совместной реализации на международных рынках в рамках Договора об услугах по сбыту продукции.

Описание предложения

Компания осуществляет деятельность в области разработки устройств преобразования энергии альтернативных возобновляемых источников. Одним из продуктов является инвертор для преобразования энергии, генерируемой любыми возобновляемыми источниками (солнечная, ветряная) в стандартное переменное напряжение 220 В., 50 Гц или с иными требуемыми характеристиками. Использование SiC (карбид кремния) приборов (Диоды, MOSFET транзисторы) в компонентной базе позволяет существенно повысить рабочие характеристики: КПД, надёжность и в разы снизить массу и габариты устройства. Преимущества использования SiC в инверторах: • SiC позволяет работать на более высоких частотах преобразования до 100 МГц и выше, вместо типичных 5-10 МГц для кремния, благодаря этому существенно снижаются размеры индуктивных элементов инвертора; • Благодаря высоким характеристикам SiC приборов, в инверторе, снижается общее количество компонентов, что также способствует снижению габаритов; • температура стабильного функционирования SiC значительно выше кремниевых чипов (200-250 С против 100 С), в связи с этим снижаются требования к системе охлаждения, в некоторых случаях можно обойтись пассивным радиатором, в то время как для кремния потребовался бы воздушный обдув вентилятором. Областью применения инвертора является: • Солнечная энергетика; • Ветряные энргогенераторы; • Источники бесперебойного питания; • Источники питания с применением суперконденсаторов. Ключевым элементом технологии являются высокомощные диоды и транзисторы на основе карбида кремния с максимальными напряжениями до 1200 В, и силой протекающего тока до 30 А. В созданных прототипах использовались диоды и MOSFET транзисторы компании Cree. Следующим важным звеном инвертора является схемо-техническое устройство его исполнения. Рынком сбыта для инверторов является сфера использование возобновляемых источников энергии в частном и иных секторах. Кроме того, имеется перспектива участия в строительстве солнечных электростанций. В настоящее время отмечается стабильный рост рынка инверторов на 30% последние несколько лет, что говорит о развитии частной возобновляемой энергетики в России. Дистрибьюторами отмечается также более высокое качество европейских инверторов по отношению к китайским. Несмотря на большую цену европейской продукции, в данной сфере она оправдана, т.к. в приоритете остаётся надёжность инверторов. Оценка данного сегмента показывает, что при продаже 20 инверторов в месяц, выручка составит порядка 10 млн. руб. в год. В связи с тем, что по оценкам различных источников до 2017 в РФ год планируется ввод в эксплуатацию, суммарно, более 400 МВт солнечных электростанций в различных регионах России, каждая мощностью от 5 до 25 МВт потенциальными региональными рынками сбыта являются Астраханская область, Республика Башкортостан, Республика Алтай, Республика Хакассия, Оренбургская область, Липецкая область, Ставропольский край, Волгоградская область, Республика Калмыкия. Предполагается, что партнер будет осуществлять закупку и производить дальнейшую реализацию готовой продукции предприятия конечным клиентам.

Инновационные аспекты и преимущества

Использование SiC приборов (Диоды, MOSFET транзисторы) в компонентной базе позволяет существенно повысить рабочие характеристики: КПД, надёжность и в разы снизить массу и габариты устройства. Преимущества SiC позволяет работать на более высоких частотах преобразования до 100 МГц и выше, вместо типичных 5-10 МГц для кремния, благодаря этому существенно снижаются размеры индуктивных элементов инвертора; Благодаря высоким характеристикам SiC приборов, в инверторе, снижается общее количество компонентов, что также способствует снижению габаритов; температура стабильного функционирования SiC значительно выше кремниевых чипов (200-250 С против 100 С), в связи с этим снижаются требования к системе охлаждения, в некоторых случаях можно обойтись пассивным радиатором, в то время как для кремния потребовался бы воздушный обдув вентилятором.

Текущая стадия развития

На данный момент компанией разработаны функционирующие прототипы устройств, проходящие испытания в реальных условиях использования потенциальными клиентами - интеграторами промышленной электроники.

Технологические ключевые слова

04005005 Солнечная/термальная энергия
04005008 Ветровая энергия
04008003 Micro- and Nanotechnology related to energy

Коды рыночных применений

06003001 Solar/thermal energy
06003003 Энергия ветра
06010001 Energy for private/domestic housing
08002001 Регулирование использования энергии

Права интеллектуальной собственности

Подана заявка на патент, но патент ещё не получен

Предпочитаемые страны

Армения, Белоруссия, Китай, Израиль, США, Индия, Новая Зеландия, Россия, Китайская Республика Тайвань

Дата профиля

14.01.2016

Сотрудничество

Тип искомого партнера

Тип партнера: компании занимающиеся реализацией проектов в области использования альтернативных источников энергии Область деятельности: энергетика, промышленная электроника. Роль: приобретение и реализация готовой продукции предприятия конечным клиентам.

Поделиться

выразить интерес

Если вас заинтересовал профиль и вы готовы предложить его авторам требуемое сотрудничество, заполните форму выражения интереса.

CAPTCHA

Я даю согласие на обработку своих персональных данных

Союз Инновационно - Технологических Центров России

Москва, г. Зеленоград, проезд 4806-й, д.5, стр. 20

+7 (499) 720-69-19

+7 (495) 692-97-11

info@ruitc.ru

загрузка карты...
загрузка карты...

Фонд Содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (ФСРМФПНТС)

119034, г. Москва, 3-ий Обыденский переулок, д. 1, строение 5

+7-495-231-19-01

загрузка карты...
загрузка карты...

Российское агенство поддержки малого и среднего бизнеса (РАПМСБ)

119330, Россия, Москва, ул. Мосфильмовская, д. 17Б.

+7-499-143-73-20

siora@siora.ru

загрузка карты...
загрузка карты...